HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsПолевые транзисторы

Datasheets - Полевые транзисторы - 4

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производители
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed НИИЭТ
Найдено: 8,126 Вывод: 61-80

Вид: Список / Картинки

  1. NDS331N — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS331N
    N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
  2. FDN340P — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor FDN340P
    Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
  1. VP0550N3-G — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip VP0550 VP0550N3-G
    В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  2. VP0550N3-G-P013 — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip VP0550 VP0550N3-G-P013
    В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  1. VP0550 — Datasheet Microchip
    Полевые транзисторы Microchip VP0550
    В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  2. SiHLU024 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay SiHLU024
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  3. SiHLU024-GE3 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay SiHLU024 SiHLU024-GE3
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  4. SiHLR024TRL-GE3 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay SiHLR024 SiHLR024TRL-GE3
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  5. SiHLR024 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay SiHLR024
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  6. SiHLR024TR-GE3 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay SiHLR024 SiHLR024TR-GE3
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  7. IRLU024PbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLU024 IRLU024PbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  8. IRLU024 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLU024
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  9. IRLR024 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLR024
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  10. IRLR024TRLPbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLR024 IRLR024TRLPbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  11. IRLR024TRPbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLR024 IRLR024TRPbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  12. IRLR024PbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRLR024 IRLR024PbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  13. BSS123 — Datasheet Fairchild
    Полевые транзисторы Fairchild BSS123
    N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  14. BSS100 — Datasheet Fairchild
    Полевые транзисторы Fairchild BSS100
    N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  15. NDS351AN — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS351AN
    N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
  16. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50Z
    N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров