OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheets - Полевые транзисторы - 6

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,127 Вывод: 101-120

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    P-канальный полевой МОП-транзистор 30 В (DS) Мощный МОП-транзистор TrenchFET
  2. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023
  1. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  2. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  1. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  2. Datasheet Vishay SiHF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  3. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  4. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  5. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  6. Datasheet Vishay IRF640PbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  7. Datasheet Vishay IRF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  8. 150 В, 329 А Силовой GaN-транзистор в улучшенном режиме
  9. 200 В, 260 А Силовой GaN-транзистор в улучшенном режиме
  10. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  11. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  12. 10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  13. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  14. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  15. Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    11A, 600V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode - UltraMOS
  16. 11A, 600V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode - UltraMOS
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России