Datasheet SI3585DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 1.8 А, TSOP — Даташит
Наименование модели: SI3585DV-T1-GE3
Купить SI3585DV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 76 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V | |||
| SI3585DV-T1-GE3 Vishay | от 16 ₽ | ||
| SI3585DV-T1-GE3 Vishay | 75 ₽ | ||
| SI3585DV-T1-GE3 Vishay | 76 ₽ | ||
| SI3585DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 1.8 А, TSOP
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- Power Dissipation Pd: 750 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3585DVT1GE3, SI3585DV T1 GE3
