Datasheet SI1905BDH-T1-E3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SI1905BDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 | |||
SI1905BDH-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1905BDH-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SI1905BDH-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -8 В, SC-70
Краткое содержание документа:
Si1905BDH
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.542 at VGS = - 4.5 V 0.798 at VGS = - 2.5 V 1.2 at VGS = - 1.8 V ID (A) - 0.63 - 0.52 - 0.20 10.5 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: -630 мА
- Drain Source Voltage, Vds: -8 В
- On Resistance, Rds(on): 1.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 8 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1905BDHT1E3, SI1905BDH T1 E3