Datasheet SP8J2FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, 30 В, 4.5 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, 30 В, 4.5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SP8J2
Transistors
4V Drive Pch+Pch MOS FET
SP8J2
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 90 МОм
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
• Корпус транзистора: SOP
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Тип корпуса: SOP-8
• Способ монтажа: SMD
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: -2.5 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE932-01