OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet SP8M3FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP — Даташит

Rohm SP8M3FU6TB

Наименование модели: SP8M3FU6TB

13 предложений от 10 поставщиков
Структура NP-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±20/18Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20Сопротивление канала в...
SP8M3FU6TB
Rohm
18 ₽
Utmel
Весь мир
SP8M3FU6TB
Rohm
от 31 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SP8M3FU6TB
Rohm
44 ₽
Acme Chip
Весь мир
SP8M3FU6TB1
Rohm
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SP8M3
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M3
Structure Silicon N-channel / P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 82 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Корпус транзистора: SOP
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 5 А
  • Тип корпуса: SOP-8
  • Способ монтажа: SMD
  • Pulse Current Idm: 18 А
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet SP8M3FU6TB - Rohm MOSFET, DUAL, NP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России