OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet New Jersey Semiconductor IRF123 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
СерияIRF123
МодельIRF123

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа

Цены

16 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 80V 8A 3Pin(2+Tab) TO-3
ЧипСити
Россия
IRF123
International Rectifier
47 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF123
International Rectifier
49 ₽
Akcel
Весь мир
IRF123
International Rectifier
от 59 ₽
IRF123H
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF120 IRF121 IRF122 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor IRF123

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России