Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19538Q2 |
100 В, 49 мОм SON2x2 NexFET Силовой МОП-транзистор
Datasheets
CSD19538Q2 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 394 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 янв 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19538Q2 на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 174 ₽23 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 13.1 А, 0.049 Ом, WSON, Surface Mount | |||
| CSD19538Q2 Texas Instruments | 23 ₽ | ||
| CSD19538Q2 Texas Instruments | 30 ₽ | ||
| CSD19538Q2 Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD19538Q2T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD19538Q2 | CSD19538Q2T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19538Q2 | CSD19538Q2T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 6 | 6 |
| Package Type | DQK | DQK |
| Package QTY | 3000 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 1958 | 1958 |
| Width (мм) | 2 | 2 |
| Length (мм) | 2 | 2 |
| Thickness (мм) | .75 | .75 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19538Q2 | CSD19538Q2T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 13.1 | 13.1 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 34.4 | 34.4 |
| Корпус, мм | SON2x2 | SON2x2 |
| QG Typ, nC | 4.3 | 4.3 |
| QGD Typ, nC | 0.8 | 0.8 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 59 | 59 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 3.2 | 3.2 |
Экологический статус
| CSD19538Q2 | CSD19538Q2T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD19538Q2 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
