Datasheet Texas Instruments CSD19531Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19531Q5A |
100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFETВ™ Power MOSFET
Datasheets
CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 737 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 19 май 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19531Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 394 ₽17 предложений от 10 поставщиков 100V, N ch NexFET MOSFETTM, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150 | |||
| CSD19531Q5A Texas Instruments | от 59 ₽ | ||
| CSD19531Q5A Texas Instruments | 66 ₽ | ||
| CSD19531Q5A Texas Instruments | 147 ₽ | ||
| CSD19531Q5A Texas Instruments | от 165 ₽ | ||
Статус
| CSD19531Q5A | CSD19531Q5AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD19531Q5A | CSD19531Q5AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQJ | DQJ |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19531 | CSD19531 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD19531Q5A | CSD19531Q5AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 110 | 110 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 337 | 337 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 37 | 37 |
| QGD Typ, nC | 6.6 | 6.6 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 6.4 | 6.4 |
| VDS, В | 100 | 100 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 2.7 | 2.7 |
Экологический статус
| CSD19531Q5A | CSD19531Q5AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19531Q5A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
