Datasheet Texas Instruments CSD19505KCS — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD19505KCS |
Модель | CSD19505KCS |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 3-TO-220 от -55 до 175
Datasheets
CSD19505KCS 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 758 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 20 окт 2014
Выписка из документа
Цены
Купить CSD19505KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 606 ₽ 31 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 150 А, 0.0026 Ом, TO-220, Through Hole | |||
CSD18532KCS CSD19535KCS CSD18502KCS CSD19536KCS CSD19505KCS CSD18533KCS CSD19531KCS CSD18510KCS CSD19506KCS CSD18511KCS | 65 ₽ | ||
CSD19505KCS Texas Instruments | от 131 ₽ | ||
CSD19505KCS Texas Instruments | 250 ₽ | ||
CSD19505KCS Texas Instruments | от 431 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 3 |
Package Type | KCS |
Industry STD Term | TO-220 |
JEDEC Code | R-PSFM-T |
Package QTY | 50 |
Carrier | TUBE |
Маркировка | CSD19505KCS |
Width (мм) | 8.7 |
Length (мм) | 10.16 |
Thickness (мм) | 4.58 |
Pitch (мм) | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.7 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 208 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | TO-220 мм |
QG Typ | 76 nC |
QGD Typ | 11 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 3.1 mOhms |
VDS | 80 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 2.6 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor